新能源电驱系统标准解读与拓展:控制器运行耐久试验
控制器运行耐久,属于控制器单体耐久试验,与带载温度循环试验(Power thermal cycle endurance,PTCE)相辅相成,联合验证了控制器功率转换模块在热应力、电应力作用下的耐久情况。
01 为什么要进行控制器运行耐久试验?
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控制器作为三合一电驱动动力总成系统的"大脑",在整个生命周期内主要承受两方面的负荷影响:一、外部环境变换产生的温度负荷(TC);二、内部定期负载电流产生的温度负荷(PC)。
系统层面的温度循环耐久试验(PTCE),反映的是整车生命周期内,在经历一定次数的温度变化后,子系统及其组件的耐久可靠性。对于控制器而言,主要考核功率器件和电子器件的焊层和焊点,以及密封件的粘结层,在一定热机械应力作用下的老化/破裂情况。(#PTCE对电机、减速器子系统及其零件的考核后续会进行专题解读#)
BUT,PTCE更多的是考虑外部温度负荷的影响,对于内部电应力产生的温度负荷的影响,并没有考虑或者即使有也并不充分。(#"不充分"的理由后续会补充解读#)。因此,有必要在PTCE之前对控制器单体的运行耐久进行验证,即定期重复的施加负载电流,促使内部导体温度快速变化,以验证关键功率转换部件的耐久特性。
02 如何设计控制器运行耐久试验?
这里引入一种通用的控制器运行耐久试验标准。
测试架构图
试验通过如下图两种架构形式均可实现:
1) 控制器+电机+负载电机
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2) 控制器+电机模拟器
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测试条件
环境温度和温度:除非有特殊要求,一般在23±5℃环境温度和25%~75%的环境湿度下进行测试。
冷却水温: 不做降额处理的最高冷却水温度,一般为65℃。
冷却流量:不做降额处理的最低冷却水流量,一般为8l/min.
加载曲线
一张图表示控制器运行耐久加载曲线:
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其中,I_t=1800表示持续运行30min的最大电流;I_t=2~30表示持续运行2~30s的最大电流 。
其中,n/f一般定义为额定转速或电频率;
其中,t_1一般定义为120s;t_3和t_5一般定义为2~30s范围内, 具体根据 控制频率f 和 热平衡温度T而确定;t_2/t_4/t_6,一般分别定义为3s/4s/3s。
其中,循环次数N常规定义为3000次。
测试通过标准
试验前后对如下部件进行性能测试和分析:
→ 功率转换芯片:电阻抗和热阻抗变化率<10% (对于IGBT,要测量集电极和发射极之间电阻);
→ 薄膜电容:在通常使用的频率下,电容和阻抗特性差异<10%。
"知其然,知其所以然,上述参数为什么这样定义?是否合理?整车参数和应用环境对试验参数定义有何影响?" 请看03解读。
03 解读:控制器运行耐久的"定制化"设计
为了回答02部分遗留的问题,透过表象,去挖掘事物的本质,回归物理和数学模型中。
通过上述解读可以了解,控制器运行耐久试验主要考核的是IGBT/Diode和薄膜电容,其在内部负载电流作用下,因温度负荷产生的老化或失效问题。本文只对IGBT进行分析 。
IGBT的失效形式及机理
IGBT功率模块一般结构简图如下:
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其主要的两种失效模式如下:
■ 芯片顶部铝键合线的开裂和翘起:这是因为电流流经导线产生热量,在热冲击作用下产生热机械应变,严重时,导致金属线的翘起和开裂,如下图。
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■ 焊料层的老化:由于焊接材料具有不同的的热膨胀系数,温度冲击导致焊料层内部产生热机械应变的产生,由周期性应变引起的焊料疲劳将导致内部裂纹的扩散,进一步地导致热阻增加。这也解释了为什么要对功率器件的热电阻进行复检的原因。
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综上,一句话概括失效形式和机理 : 电流→热冲击→机械应力→疲劳老化或失效。
"知道了IGBT失效形式和机理,如何从整车角度对IGBT寿命进行校核呢?"
IGBT的寿命计算流程
IGBT的寿命模型较复杂,在这里不展开讨论,只对其计算流程做简单介绍,如下图所示(关键):
01 根据整车路谱计算电流、cosφ等参数,同时考虑冷却水流量和温度
02 根据上述参数,结合IGBT热特性,计算获得时域上的温度谱
(如下示意图所示)
03 根据雨流法,计算获得ΔT及对应次数n
04 根据等效模型,计算获得疲劳损伤度,估算寿命
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据此,我们可以根据整车寿命和路谱信息,估算获得IGBT的寿命,为控制器的运行耐久试验的 循环次数 和 时间 提供依据。
BUT,这并不够,试验过程中还要保证以下两点原则:
① 试验连续、完整,无降额运行;
② 其他零部件功能完好,比如DC/AC Busbar的完好(#不能先坏了#)。 这也解释了为什么 02 中选择额定电流I_t=1800进行加载,目的是要保证busbar镀层的完好。
综上,从IGBT的视角,通过对失效形式的理解和寿命的等效计算,对控制器运行耐久试验的几个参数进行把控:加载电流及其对应的时间、电频率、循环次数,实现了其"定制化"的设计。
写在最后:
不仅是IGBT,对二极管和电容也可采用相同方法论对其失效机理进行分析,感兴趣的朋友可以尝试下;另外对IGBT寿命校核感兴趣的朋友也可留言,欢迎进一步交流。
以上是根据实际经验对理论进行的总结,整理的过程中仍有很多不理解的地方,如解读有不当,期待能得到大家指正,也欢迎随时留言交流,我们共同进步!
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