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UAES与罗姆成立“SiC技术联合实验室”并举行启动仪式
2020-12-08 15:12:23· 来源：汽车测试网
中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，以下简称“UAES”）与全球知名半导体制造商罗姆（ROHM Co., Ltd.，以下简称“罗姆”）在中国上海的UAES总部成立了“SiC技术联合实验室”，并于2020年10月举行了启动仪式。
UAES副总经理 郭晓潞（右）与罗姆半导体（上海）有限公司 董事长 藤村 雷太（左）在启动仪式上互赠纪念品
与IGBT*1等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件具有“开关损耗和传导损耗*2小”、“耐温度变化能力强”等优势，因而作为一种能够显著降低损耗的半导体，在电动汽车以及基础设施、环境/能源、工业设备领域的应用日益广泛。
UAES和罗姆自2015年开始技术交流以来，双方在采用SiC功率元器件的车载应用产品开发方面建立了合作伙伴关系。经过多年的技术交流，采用了罗姆SiC功率元器件的UAES车载产品于今年成功投入量产。
此次成立的联合实验室配备了重要设备，包括能够对车载充电器和DC/DC转换器等车载应用产品进行整机评估的测试设备、以及能够进行元器件评估的测试装置等。
未来，双方将会进一步加强合作关系，并加快以SiC为核心的创新型电源解决方案的开发。
UAES副总经理 郭晓潞表示：“自2015年罗姆为UAES推介SiC功率元器件产品以来，双方包括高层在内的交流不断加深。作为多年技术交流的成果，UAES开发出采用了SiC的车载应用并在今年成功实现量产，对此我们表示非常高兴。该联合实验室的成立，表明两家公司之间的合作关系进一步加深，我们期待通过完善的设备，得到更出色的技术支持。”
罗姆董事高级执行官CSO兼功率元器件业务统括 伊野和英博士表示：“我们很高兴能够与车载应用领域的先进企业——UAES成立联合实验室。作为SiC功率元器件的先进厂商，罗姆正在推进行业先进的元器件开发，同时，通过与驱动IC等外围元器件相结合的电源解决方案，获得了傲人的实际应用业绩。未来，在市场有望继续扩大的车载领域，把握客户需求和市场动向的研究将是非常重要的要素，因此，双方将通过联合实验室加强合作关系，并凭借以SiC为核心的电源解决方案为汽车技术革新做出贡献。”
＜术语解说＞
*1) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）
同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低传导损耗特性的功率晶体管。
*2） 传导损耗、开关损耗
因元器件结构的缘故，MOSFET和IGBT等晶体管在使用时会产生损耗。传导损耗是电流流过元器件时（ON状态时），受元器件的电阻分量影响而产生的损耗。开关损耗是切换元器件的通电状态时（开关动作时）产生的损耗。
UAES副总经理 郭晓潞（右）与罗姆半导体（上海）有限公司 董事长 藤村 雷太（左）在启动仪式上互赠纪念品
与IGBT*1等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件具有“开关损耗和传导损耗*2小”、“耐温度变化能力强”等优势，因而作为一种能够显著降低损耗的半导体，在电动汽车以及基础设施、环境/能源、工业设备领域的应用日益广泛。
UAES和罗姆自2015年开始技术交流以来，双方在采用SiC功率元器件的车载应用产品开发方面建立了合作伙伴关系。经过多年的技术交流，采用了罗姆SiC功率元器件的UAES车载产品于今年成功投入量产。
此次成立的联合实验室配备了重要设备，包括能够对车载充电器和DC/DC转换器等车载应用产品进行整机评估的测试设备、以及能够进行元器件评估的测试装置等。
未来，双方将会进一步加强合作关系，并加快以SiC为核心的创新型电源解决方案的开发。
UAES副总经理 郭晓潞表示：“自2015年罗姆为UAES推介SiC功率元器件产品以来，双方包括高层在内的交流不断加深。作为多年技术交流的成果，UAES开发出采用了SiC的车载应用并在今年成功实现量产，对此我们表示非常高兴。该联合实验室的成立，表明两家公司之间的合作关系进一步加深，我们期待通过完善的设备，得到更出色的技术支持。”
罗姆董事高级执行官CSO兼功率元器件业务统括 伊野和英博士表示：“我们很高兴能够与车载应用领域的先进企业——UAES成立联合实验室。作为SiC功率元器件的先进厂商，罗姆正在推进行业先进的元器件开发，同时，通过与驱动IC等外围元器件相结合的电源解决方案，获得了傲人的实际应用业绩。未来，在市场有望继续扩大的车载领域，把握客户需求和市场动向的研究将是非常重要的要素，因此，双方将通过联合实验室加强合作关系，并凭借以SiC为核心的电源解决方案为汽车技术革新做出贡献。”
＜术语解说＞
*1) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）
同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低传导损耗特性的功率晶体管。
*2） 传导损耗、开关损耗
因元器件结构的缘故，MOSFET和IGBT等晶体管在使用时会产生损耗。传导损耗是电流流过元器件时（ON状态时），受元器件的电阻分量影响而产生的损耗。开关损耗是切换元器件的通电状态时（开关动作时）产生的损耗。
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