通过磁电作用将被测量(如振动、转速、扭矩)转换成电势信号。利用导体和磁场发生相对运动而在导体两端输出感应电势
优点:不需要供电电源,电路简单,性能稳定,输出阻抗小
如果线圈是N匝,磁场强度是B,每匝线圈的平均长度la,线圈相对磁场运动的速度为υ=dx/dt,则整个线圈中所产生的电动势为:
由于变磁阻式磁电传感器结构简单 牢固 工作可靠 价格便宜被广泛用于车辆上作为检测车轮转速的轮速传感器
线圈和磁铁部分都是静止的,与被测物连接而运动的部分是用导磁材料制成的,在运动中,它们改变磁路的磁阻,因而改变贯穿线圈的磁通量,在线圈中产生感应电动势。
线圈中产生感应电动势的频率作为输出,而感应电动势的频率取决于磁通变化的频率。
只有ω>>ωn的情况下,Av(ω)≈1,相对速度V(t)的大小才可以作为被测振动速度V0 (t)的量度。
因此磁电式速度传感器的频率较低,一般为10~15Hz。
电磁式轮速传感器结构简单、成本低、对粉尘污染不敏感,传感头不需外接电源。
输出信号的幅值和频率受转速影响大,抗电磁波干扰能力差,易产生误信号。
适于车速为15 ~ 160km/h,国内外普遍采用霍尔元件、光电式传感器,等器件组成新型的转速检测装置它们具有频率响应高(响应频率达0P8V H 以上),输出幅值不变,抗电磁干扰能力强等特点。
置于磁场中的静止载流导体,当它的电流方向与磁场方向不一致时,载流导体上平行于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势,这种现象称霍尔效应。
目前常用的霍尔元件材料有:锗、硅、砷化铟、 锑化铟等半导体材料。
N型锗容易加工制造,其霍尔系数、 温度性能和线性度都较好。
N型硅的线性度最好,其霍尔系数、 温度性能同N型锗。
锑化铟对温度最敏感,尤其在低温范围内温度系数大,但在室温时其霍尔系数较大。
砷化铟的霍尔系数较小,温度系数也较小,输出特性线性度好。
在垂直于外磁场B的方向上放置一N型半导体薄片,通以电流I,方向如下图所示。
半导体薄片中的电流使自由电子在电场作用下做定向运动。
此时,每个电子受洛伦兹力FL的作用,FL的大小为:
FL的方向在图中是向内的,此时电子除了沿电流反方向作定向运动外,还在FL的作用下漂移,结果使半导体薄片内侧面积累电子,而外侧面积累正电荷,从而形成了附加内电场EH,称霍尔电场,该电场强度为
当电子所受洛伦兹力与霍尔电场作用力大小相等方向相反,即
当磁场垂直于薄片时,电子受到洛仑兹力的作用,向内侧偏移,在半导体薄片c、d方向的端面之间建立起霍尔电势。
在被测转速的转轴上安装一个齿盘,也可选取机械系统中的一个齿轮,将线性型霍尔器件及磁路系统靠近齿盘。
齿盘的转动使磁路的磁阻随气隙的改变而周期性地变化,霍尔器件输出的微小脉冲信号经隔直、放大、整形后可以确定被测物的转速。
当齿对准霍尔元件时,磁力线集中穿过霍尔元件,可产生较大的霍尔电动势,放大、整形后输出高电平;反之,当齿轮的空挡对准霍尔元件时,输出为低电平。
只要黑色金属旋转体的表面存在缺口或突起,就可产生磁场强度的脉动,从而引起霍尔电势的变化,产生转速信号。
光电式速度传感器将速度的变化转变成光通量的变化,在通过光电转换元件将光通量的变化转换成电量变化,即利用光电脉冲变成电脉冲,光电转换元件的工作原理是光电效应。
它是指物体在光的照射下,其内部产生一定电势的现象。
它是由装在轴上的带孔或缝隙的旋转盘(光电编码盘),光源,光接收器等组成,输入轴与被测轴相连接。
光源发出的光通过缝隙旋转盘照射到光敏器件上,使光敏器件感光并产生电脉冲。
转轴连续转动,光敏器件就输出一系列与转速及带缝隙旋转盘上缝隙数成正比的电脉冲数。
(a)光线被遮住,接收器无信号 (b)光线未被遮住,接收器有信号
光电转速传感器采用光学原理制造,光电转速传感器的测量无需与被测量对象接触,不会对被测量轴形成额外的负载,因此光电转速传感器的测量误差更小,精度更高。
光电转速传感器的结构紧凑,主要由投射光线部件、接收光线部件也就是光敏元件和放大元件等组成,因此光电转速传感器的体积小
光电转速传感器多采用LED作为光线投射部件,极少会出现光线停顿的情况,也不会存在灯泡烧毁等故障危险。
另外,光电转速传感器的光源都是经过特殊方式调制的,有极强的抗干扰能力,不会受普通光线的干扰。
光电转速传感器的可采用光纤封装,光电转速传感器的运行稳定,有良好的可靠性,测量的精度较高。