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中汽中心新能源检验中心新能力 | 芯片电磁兼容测试能力
随着汽车电动化、智能化、网联化的快速发展，应用在车上的芯片种类及数量越来越多，尤其是近年来车规芯片的国产化替代，使芯片电磁兼容成了汽车电磁兼容领域的全新问题。同时，不断增加的芯片算力需求，使芯片工作频率越来越高、有限体积内集成的晶体管数也越来越多，也使得新车型设计时，不能再忽视芯片本身的电磁兼容问题。从可靠性角度，车规级芯片的电磁兼容要求远高于民用芯片，客观评价芯片电磁兼容性是否满足车规要求，是系统及整车可靠性的根基。
为此，新能源检验中心电磁兼容部近年来紧跟芯片电磁兼容测试技术发展，深度参与各项集成电路电磁兼容测试标准的制修订工作，现已建立起完善的芯片电磁兼容测试能力，覆盖TEM和宽带TEM小室法、IC带状线法、1Ω/150Ω直接耦合法及射频功率直接注入法等多种发射及抗扰测试方法，以上测试能力已于2022年12月获得中国合格评定国家认可委员会（CNAS）认可。
表1 测试能力一览表
1Ω阻抗探头（传导发射-骚扰电流测量）
150Ω耦合网络（传导发射-骚扰电压测量）
DPI注入探头（传导抗扰度测试）
脉冲注入探头（脉冲抗扰度测试）
GTEM小室（辐射发射及辐射抗扰度测试）
带状线（辐射发射及辐射抗扰度测试）
车规芯片电磁兼容测试，将从芯片角度，对其电磁兼容进行测试评价，进而从源头提高部件或整车的电磁兼容性能。该测试不仅可以规范芯片的电磁兼容测试方法，为芯片企业提供必要的测试规范，还可以指导用户选用合格的芯片产品。
未来，新能源检验中心电磁兼容部将持续深挖芯片电磁兼容测试方式方法，继续完善芯片电磁兼容测试能力，支撑我国车规芯片标准化工作的同时，为主机厂、零部件企业及芯片厂商提供更好的服务。
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